TechLIVE by ITmedia

SiCとGaNで高効率を実現:AI時代のデータセンター電源革新(パワーエレクトロニクス イニシアチブ 2025 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社)Expert Library

公開日:2026/11/13(金)

【PR】 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社

AIの電力危機を救う?SiCとGaNが引き起こすデータセンター電源革命!

AIデータセンターの急速な発展により深刻化する電力不足。CoolSiC™ JFETは高電圧で信頼性が高い堅牢な電力配分を、CoolGaN™ BDSは双方向スイッチで設計効率とコスト削減を実現。これらの次世代半導体が、持続可能で効率的な電力インフラ構築を支えます。


※本動画は2025年12月4日開催「パワーエレクトロニクス イニシアチブ 2025 ~次世代パワーデバイス さらなる発展への突破口を探る~」のアーカイブ配信です

出演者

藤森 正然(インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社/インダストリアル&インフラストラクチャー事業本部 マーケティング部 部長)
孫 茹(インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社/コンシューマー、コンピューティング&コミュニケーション事業本部 マーケティング部 課長)